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技术及工艺

Technology

创新

    晶片处理需单个进行

  • · 氧化孔尺寸由处理时间来控制
  • · 存在一个晶片上的氧化孔尺寸不一致的问题,同时晶片与晶片间也千差万别
  • · 即使利用实时过程监控工具,也不可能解决一个芯片上的氧化孔尺寸不一致的问题
  • · 在扩大VCSEL产品生产和进行稳定的质量监控方面存在问题

    多个晶片可同时处理

  • · 一个被物理限制及可自我终止的氧化过程让处理过程稳定而一致
  • · 可在一个晶片上产生统一尺寸的氧化孔,也可以产生氧化孔尺寸完全一致的两个晶片以及两批晶片
  • · 在VCSEL生产领域引发巨大改善
  • · 生产量的提升同样具有可能
  • · 期待增加VCSEL芯片的可靠性,特别是在高功率应用方面
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