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Product

01

可生产客户提供设计的GaAs为衬底的外延片

02

940nm 高功率VCSEL外延片 (传统技术)

2019年5月量产

  • 低阈值电流
  • 低光束发散度
  • 高功率转换率
  • 高可靠性
  • 适用于制造单晶管和多晶管发射器列组

03

850nm VCSEL外延片

2019年9月量产

  • 低阈值电流
  • 低光束发散度
  • 高功率转换率
  • 高速度单晶管发射器芯片,速度>10吉赫
  • 适用于制造单晶管和多晶管发射器列组

04

940nm 高功率VCSEL外延片 (专利技术)

2019年12月量产

  • 对单晶片及批量晶片的高氧化处理

  • 高产量及批处理的氧化处理能力

  • 高可靠性
  • 适用于制造单晶管和多晶管发射器列组

  • 高功率单晶管VCSEL的最佳备选方案



05

可生产客户提供设计的GaAs为衬底的外延片

所有产品都将用最优质的MOCVD(金属有机气相沉积)工艺来生产。

  • 联系电话:02162781056
  • 邮箱:shishenhui@ascore-tech.com
  • 地址:上海市光复西路2899号赢华国际广场2号楼1610室
  • 邮编:200062

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